グローバル半導体企業のSiGe・Siphoデバイス開発エンジニア/タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社
世界シェアの高い製品を扱うアナログ半導体ファンドリ企業
- 勤務地
- 富山県魚津市
- 想定年収
- 350万円~800万円
- 雇用形態
- 正社員
- 仕事内容
- RFデバイス(主にSiGe BiCMOS)並びにSi Photonicsのデバイス開発、もしくは、それら開発ウエーハの作製を取り仕切るインテグレーションを行っていただきます。
【具体的には】
・顧客・市場要求から、性能とコスト競争力のあるデバイス(FET、各種能動/受動素子)を開発
・プロセス開発とデバイス開発を盛り込んだSiウエーハ作製フローを構築し、開発ウエーハ作製を具体化
・顧客やベンダーなどと技術のやり取りを通じて、満足度を与えながら開発課題の対応
・国内外のチームメンバーと円滑なコミュニケーションとチーム内の技術調整
・英語による国外関係者との技術調整
【企業の特徴】
タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社は、アナログ半導体スペシャルティファウンドリーです。高感度イメージセンサ、パワーデバイス、高周波RFCMOS、化合物半導体(GaAs・GaN・SiC)など先端半導体技術を強みとし、グローバルに事業を展開しています。また、日本でもトップクラスの手厚い制度を継承し、働きやすい環境が整っております。